腾讯新闻中心

超越预测，韩国研究团队研发出亚纳米级尺寸晶体管

IT之家7月4日消息，韩国基础科学研究院(IBS)的研究团队取得突破，成功研制出亚纳米级晶体管，超越了现有行业发展预期。该技术有望引领下一代低功耗高性能电子设备的研发。据IT之家了解，半导体器件的集成度取决于栅极电极的宽度和长度。在传统的半导体制造工艺中，由于光刻分辨率的限制，将栅极长度减少到几纳米以下是不可能的。二维半导体二硫化钼的镜面孪晶边界（MTB）是宽度仅为0.4纳米的一维金属，因此，研究人员将其用作栅极电极，可克服光刻工艺的限制。这一成果显著优于国际电气电子工程师学会(IEEE)的预测，IEEE此前发布的...